定義與工作原理

硅鉬棒管式爐是以MoSi?（二硅化鉬）U 型 / W 型棒為加熱元件的臥式 / 立式管式高溫爐；在氧化氣氛下，硅鉬棒表面會(huì)形成致密石英膜保護(hù)內(nèi)部，通過(guò)輻射加熱爐膛，配合剛玉 / 氧化鋯爐管、B 型熱電偶 + PID 程序控溫，可在真空 / 惰性氣氛（N?、Ar）下實(shí)現(xiàn) 1600–1800℃高溫?zé)Y(jié) / 退火 / 熔融；嚴(yán)禁 400–700℃長(zhǎng)期低溫停留（會(huì)發(fā)生 “低溫脆化" 與加速老化）。

二、主流代表機(jī)型與核心參數(shù)（2025-2026 市場(chǎng)現(xiàn)貨）

表格

機(jī)型型號(hào)額定溫度常用恒溫爐管尺寸功率控溫精度特色配置適用場(chǎng)景

    1800℃1700℃φ80×1000mm12kW（三相）±1℃ZrO?內(nèi)襯，CE 認(rèn)證，遠(yuǎn)程監(jiān)控超高溫陶瓷、難熔金屬

    1600℃1550℃φ60×300/450mm4–6kW±1℃快速法蘭，氣路 / 真空雙接口實(shí)驗(yàn)室小批量粉體燒結(jié)

 1700℃1650℃φ100×1200mm10kW±2℃加粗硅鉬棒（7mm），冷端加長(zhǎng)工業(yè)中試，長(zhǎng)棒樣品熱處理

 1700℃1600℃φ100×800mm8kW±1℃水冷 KF 法蘭，防密封圈燒損真空 / 氫氣氣氛精密燒結(jié)

三、核心結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵配置要點(diǎn)

加熱系統(tǒng)：硅鉬棒對(duì)稱排布（左右 / 上下），冷端加長(zhǎng)、加粗熱端可顯著延長(zhǎng)壽命；配套專用變壓器 + 可控硅調(diào)功，避免冷態(tài)大電流沖擊；

爐體與爐管：雙層爐殼 + 風(fēng)冷 / 水冷，外表面溫度 < 60℃；爐管優(yōu)先選 99% 剛玉（Al?O?），超 1750℃用氧化鋯內(nèi)襯；法蘭用 KF/ISO 快速密封，配開(kāi)門斷電聯(lián)鎖；

溫控與安全：B 型雙鉑銠熱電偶，30–50 段程序控溫；具備超溫、斷偶、過(guò)流、漏電、氣氛泄漏聲光報(bào)警；

擴(kuò)展接口：標(biāo)準(zhǔn)氣路接口（質(zhì)量流量計(jì) MFC）、真空接口（可達(dá) 10?3 Pa）、RS485 通訊，支持 PC 端數(shù)據(jù)記錄與遠(yuǎn)程控制。

四、核心優(yōu)勢(shì)與局限性

優(yōu)勢(shì)：高溫抗氧化強(qiáng)，1600℃+ 長(zhǎng)期穩(wěn)定；溫場(chǎng)均勻性好（±3–5℃）；氣氛 / 真空兼容性強(qiáng)；

局限：成本高于硅碳棒 / 電阻絲爐；低溫段操作受限；硅鉬棒老化后電阻變大，需定期檢測(cè)更換；對(duì)供電穩(wěn)定性要求高。

五、應(yīng)用領(lǐng)域

材料科研：陶瓷粉體（SiC、Al?O?、ZrO?）燒結(jié)、單晶生長(zhǎng)、功能涂層制備；

工業(yè)制造：硬質(zhì)合金、電子陶瓷、磁性材料、航空航天難熔金屬部件熱處理；

高校 / 院所：高溫材料性能測(cè)試、環(huán)境下的材料合成實(shí)驗(yàn)。

六、選型 & 維護(hù)黃金法則

選型三步：先定溫度 + 恒溫時(shí)長(zhǎng)（1600℃選普通硅鉬棒，1800℃選特級(jí)棒）；再確定爐管內(nèi)徑 + 長(zhǎng)度（避免樣品超溫區(qū)）；最后確認(rèn)氣氛 / 真空 + 供電條件（三相 380V + 接地）；

維護(hù)禁忌：嚴(yán)禁低溫段（400–700℃）保溫；降溫至室溫再更換爐管 / 元件；定期清理爐內(nèi)積碳 / 粉塵；硅鉬棒冷端夾頭保持清潔防氧化。

七、與硅碳棒管式爐的關(guān)鍵對(duì)比

硅鉬棒：1600–1800℃，抗氧化強(qiáng)，壽命長(zhǎng)，價(jià)格高；

硅碳棒：1200–1400℃，成本低，升溫快，高溫壽命短，電阻漂移大。